بررسی عملکرد یک ترانزیستور دوقطبی لایه نازک
thesis
- دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی
- author فرانک همایونی
- adviser ابراهیم حسینی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1388
abstract
در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهره جریان افزایش می یابد. سپس تغییرات بهره جریان با ضخامت ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که با کاهش ضخامت مقدار بهره جریان نیز کاهش پیدا می کند. در ادامه تا?ثیر تغییر عرض بیس و تغییر ضخامت ترانزیستور بر منحنی مشخصه ترانزیستور بررسی شده و مشاهده شد که با کاهش ضخامت مقدار ولتاژ شکست افزایش می یابد. در کل بهره جریان ساختار sde lbjt در جریان بایاس کم بسیار بالاست، که کاربرد این ترانزیستور را در توانهای پایین میسر می سازد. همچنین ولتاژ شکست و فرکانس کار خوبی برای آن بدست آمده است.
similar resources
معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی
In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Sim...
full textمعرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...
full textتاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر
با توسعه ریزفناوری میکروماشینکاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کردهاند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...
full textبهبود مشخصات ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی
ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...
15 صفحه اولبررسی تاثیر پارامترهای رقم، دما و سرعت جریان هوا در عملکرد کیفی یک خشک کن لایه نازک برنج
با توجه به اهمیت فرآیند خشک کردن شلتوک در فرآوری برنج، در کار تحقیقاتی حاضر تاثیر دماهای مختلف خشک‌کردن (40، 50 و 60 درجه سلسیوس) و سرعت جریان هوا (صفر، 65/2 و 4 متر بر ثانیه) بر زمان خشک شدن و درصد شکستگی دانه‌های شلتوک سه رقم برنج طارم، جلودار و فجر در یک خشک کن لایه نازک برنج مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان داد که با افزایش دمای خشک کردن از 40 تا 60 درجه سلسیوس، زمان خشک...
full textساخت و بررسی نمونه‌های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم
In this article, bulk and thin film samples of strontium ferrite have been studied. Due to the high electrical resistivity in strontium ferrite, energy loss due to eddy currents reduces and because of this, it can be used in high frequency magnetic circuits. On the other hand, strontium ferrite has attracted much attention as a permanent magnet. At first, we study the preparation process of b...
full textMy Resources
document type: thesis
دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023